型号:

ZXM61P02FTA

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
详细参数
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产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
ZXM61P02FTA PDF
其它图纸 SOT-23
SOT-23 Top
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 900mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 610mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 3.5nc @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 150pF @ 15V
功率 - 最大 625mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 ZXM61P02F
ZXM61P02FCT
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